회사소개
오늘의 삼성전자 반도체를 이룬 힘은 새로운 미래를 향한 구성원들의 끝없는 혁신에서 비롯되었습니다.
우리는 개개인의 성장과 발전이 곧 회사의 성장이며 더 나아가 새로운 세상으로 이끄는 힘이라고 확신합니다.
당신이 가슴 뛰는 일을 찾을 수 있는 곳, 당신의 상상이 혁신의 씨앗이 되는 곳, 서로를 존중하며 그 속에서 더 큰 성장을 이루어 내는 곳,
삼성전자 반도체에서 당신의 내일을 만들어 보세요.
점차 치열해지는 미래 경쟁 속에서 모방이 아닌 혁신으로 매번 우리가 세운 신기록을 갱신하는 DS부문은 산업의 쌀, 반도체로 대한민국 GDP의 3%를 책임지며 미래 먹거리를 창출하고 있습니다.
1992
64Mb DRAM 개발
1994
256Mb DRAM 개발
1999
1GHz CPU 개발
2003
4Gb NAND Flash 개발
2006
512Mb DDR2 DRAM 개발
2007
64Gb NAND Flash 개발
2009
30nm NAND Flash 양산
2010
30nm급 DRAM 양산
2010
20nm급 NAND Flash 양산
2011
20nm급 DRAM 양산
2013
Octa Core AP 출시
2013
3차원 V-NAND 양산
2014
20nm 4Gb DDR3 DRAM 양산
2014
2세대 V-NAND 양산
2015
8Gb GDDR5 DRAM 양산
2015
3세대 V-NAND 양산
2015
14nm 모바일 AP 양산
2015
1.0μm ISOCELL 적용 CIS양산
2016
10nm급 DDR4 DRAM 양산
2016
4세대 V-NAND 양산
2018
5세대 V-NAND 양산
2021
2억화소 ISO Cell 출시
2022
8세대 236단 V-NAND 양산
2022
3nm 공정기반의 파운드리 양산
2023
12나노급 32Gb DDR5 개발
2024
2024 12단 36GB HBM3E 개발
Create the Future
글로벌 반도체 시장의 정상을 유지해 온 DS부문의 기술력과 제조 노하우를 바탕으로 Digital Enabler로서 차세대 기술 혁신을 주도할 것입니다.
Global operations
History
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- 1970s~1980s
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1974
반도체 사업 진출
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1983
기흥사업장 생산라인 가동,
메모리 사업 진출 -
1983
64Kb DRAM 자체 개발 성공
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- 1990s
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1992
세계 최초 64Mb DRAM 개발
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1994
세계 최초 256Mb DRAM 개발
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1998
미국 오스틴 사업장 준공
국내 최초 근무복 자율화 실시
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- 2000s
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2000
화성사업장 생산라인 준공
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2002
종합반도체 세계 시장점유율 2위 달성
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2003
Flash 메모리 시장점유율 1위 달성
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2006
미국 내 특허 취득 건수 2위 달성
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- 2010s
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2013
세계 최초 3차원 V-NAND 양산
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2014
중국 시안사업장 준공
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2015
자체 개발 CPU/모뎀 탑재 ModAP 출시
세계 최초 1.0µm 초소형 CIS 양산 (ISOCELL 기술 적용)
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2016
세계 최초 10nm급 8Gb DDR4 DRAM 양산
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2017
평택사업장 준공
Foundry 사업부 출범
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- 2020s~
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2020
DIT혁신센터 출범
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2021
AI 메모리반도체 개발
2억화소 ISO Cell 출시
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2022
세계 최초 3나노 공정기반의 파운드리 양산
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2023
12나노급 32Gb DDR5 세계 최초 개발
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